Хотели украсть, чуть не получилось - Технология производства силовых транзисторов General Electric

Сообщается, что злоумышленники собирались зарегистрировать на материковой части Китая компанию по производству силовых транзисторов MOSFET на основе карбида кремния. Подобные силовые полупроводники становятся востребованными в свете электрификации автотранспорта и перехода на возобновляемые источники энергии. Электронике для этих целей нужны компоненты с высоким КПД, чему полностью отвечают MOSFET на полупроводниках с широкой запрещённой зоной и, в частности, на основе карбида кремния. Если верить заявлению Министерства юстиции США, которое вынесло обвинение гражданину Гонконга, злоумышленники создали презентацию в PowerPoint и пытались под это дело привлечь многомиллионные инвестиции для запуска производства транзисторов. Что и когда пошло не так, не поясняется, как и не раскрывается имя сообщника в лице инженера General Electric. Министерство юстиции присудило бизнесмену десять лет тюремного заключения и штраф в размере $250 тыс. Однако неясно, смогут ли США его задержать, поскольку Вашингтон в августе 2020 года приостановил действие своего договора об экстрадиции с Гонконгом после того, как Пекин ввёл в действие похожий закон о Национальной безопасности с требованием к Гонконгу выдавать преступников или попавших под следствие. В то же время Министерство юстиции заявило, что у него нет доказательств того, что какая-либо технология была фактически передана Китаю. Добавим, в 2018 году ФБР запустило программу «Китайская инициатива», направленную на противодействие хищению коммерческой тайны компаниями, университетами и государственными учреждениями Китая. С тех пор, по словам агентства, каждое новое дело по этому направлению открывается в среднем каждые 10 часов. В то же время правозащитники отмечают, что большинство дел вскоре тихо закрываются и большинство из них связаны с дискриминацией по национальному признаку выходцев из азиатских стран.